Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс:
http://dspace.opu.ua/jspui/handle/123456789/1931Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Гаркавенко, А. С. | - |
| dc.contributor.author | Мокрицкий, Вадим Анатольевич | - |
| dc.contributor.author | Банзак, О. В. | - |
| dc.contributor.author | Завадский, В. А. | - |
| dc.contributor.author | Мокріцький, Вадим Анатолійович | - |
| dc.contributor.author | Банзак, О. В. | - |
| dc.contributor.author | Завадський, В. О. | - |
| dc.contributor.author | Гаркавенко, О. С. | - |
| dc.contributor.author | Mokrickiy, Vadim | - |
| dc.date.accessioned | 2017-04-19T08:22:06Z | - |
| dc.date.available | 2017-04-19T08:22:06Z | - |
| dc.date.issued | 2013-12 | - |
| dc.identifier.citation | Ионизационный отжиг полупроводниковых кристаллов. Часть вторая : эксперимент / А. С. Гаркавенко, В. А. Мокрицкий, О. В. Банзак, В. А. Завадский // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре. - 2014. - № 5-6. - С. 51-56. | ru |
| dc.identifier.issn | 2225-5818 | - |
| dc.identifier.uri | http://tkea.com.ua/tkea/2014/5-6_2014/pdf/08.pdf | - |
| dc.identifier.uri | http://dspace.opu.ua/jspui/handle/123456789/1931 | - |
| dc.description.abstract | При облучении полупроводниковых кристаллов мощными (сильноточными) импульсными электронными пучками высоких энергий обнаружен новый вид отжига, названный авторами ионизационным. В данной статье описаны экспериментальные исследования, подтверждающие сделанное ранее теоретическое обоснование. | en |
| dc.description.abstract | При опроміненні напівпровідникових кристалів потужними (сильнострумовими) імпульсними електронними пучками високих енергій виявлено новий вид відпалу, названий авторами іонізаційним. У цій статті наведено результати експериментальних досліджень, які підтверджують зроблене раніше теоретичне обгрунтування. | en |
| dc.description.abstract | There is a conception that irradiation of semiconductor crystals with high energy electrons (300 keV) results in a significant and irreversible deterioration of their electrical, optical and structural properties. | en |
| dc.language.iso | ru | en |
| dc.publisher | Odessa National Polytechnic University | en |
| dc.subject | лазер | en |
| dc.subject | отжиг | en |
| dc.subject | электронный пучок | en |
| dc.subject | лазер | en |
| dc.subject | відпал | en |
| dc.subject | електронний пучок | en |
| dc.subject | laser | en |
| dc.subject | annealing | en |
| dc.subject | electron beam | en |
| dc.title | Ионизационный отжиг полупроводниковых кристаллов. Часть вторая: эксперимент | en |
| dc.title.alternative | Іонізаційний відпал напівпровідникових кристалів. Частина друга: експеримент | en |
| dc.title.alternative | Ionization annealing of semiconductor crystals. Part two: the experiment | en |
| dc.type | Article | en |
| opu.kafedra | Кафедра інформаційних технологій проектування в електроніці й телекомунікаціях | UK |
| opu.citation.journal | Технологія та конструювання в електронній аппаратурі | en |
| opu.citation.firstpage | 51 | en |
| opu.citation.lastpage | 56 | en |
| opu.citation.issue | 5-6 | en |
| opu.staff.id | mokrickiy@mail.ru | - |
| opu.staff.id | mva@opu.ua | - |
| Располагается в коллекциях: | Статті каф. ІТПЕТ Технологія та конструювання в електронній апаратурі, № 5-6, 2014 | |
Файлы этого ресурса:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 08.pdf | 306.27 kB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.