1. eONPUIR
  2. Інститут медичної інженерії
  3. Кафедра біомедичної інженерії = Кафедра загальної та медичної фізики
  4. Статті каф. БІ
Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: http://dspace.opu.ua/jspui/handle/123456789/6687
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorТимохов, Д.Ф.-
dc.contributor.authorТимохов, Ф. П.ru
dc.date.accessioned2018-01-05T07:20:44Z-
dc.date.available2018-01-05T07:20:44Z-
dc.date.issued2009-
dc.identifier.citationТимохов, Д. Ф. Влияние кристаллографической ориентации кремния на формирование кремниевых нанокластеров в процессе анодного электрохимического травления / Д. Ф. Тимохов, Ф. П. Тимохов // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 1. - С. 95-99.ru
dc.identifier.urihttp://dspace.opu.ua/jspui/handle/123456789/6687-
dc.description.abstractИсследованы возможные пути повышения квантового выхода фотолюминесценции слоев пористого кремния. Изучено влияние параметров анодного электрохимического травления на фотолюминесцентные свойства слоев пористого кремния, полученных на подложках кремния с различной кристаллографической ориентацией. По спектрам фотолюминесценции пористого кремния рассчитаны средние диаметры нанокластеров кремния. Обнаружен эффект влияния кристаллографической ориентации исходной кремниевой подложки на квантовый выход фотолюминесценции пористого кремния. Предложен механизм влияния кристаллографической ориентации подложки на фотолюминесцентные свойства слоев пористого кремния, образующегося в процессе анодного электрохимического травления.en
dc.language.isoruen
dc.subjectФотолюминесценция, пористый кремний, нанокластеры кремния, электрохимическое травлениеen
dc.titleВлияние кристаллографической ориентации кремния на формирование кремниевых нанокластеров в процессе анодного электрохимического травленияen
dc.title.alternativeInfluence of silicon crystallographic orientation on formation silicon nanoclusters during anodic electrochemical etchingen
dc.typeArticleen
opu.kafedraКафедра загальної та медичної фізикиuk
opu.citation.journalФизика и техника полупроводниковen
opu.citation.volume43 (1)en
opu.citation.firstpage95en
opu.citation.lastpage99en
opu.staff.idd.f.timokhov@opu.uaen
Располагается в коллекциях:Статті каф. БІ

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
6739.pdfТимохов Д.Ф. Влияние кристаллографической ориентации кремния на формирование кремниевых нанокластеров в процессе анодного электрохимического травления / Тимохов Д.Ф., Тимохов Ф.П. // Физика и техника полупроводников. – 2009. – Т. 43, вып. 1. – С.95-99.207.35 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть
Показать базовое описание ресурса Просмотр статистики


Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.