Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: http://dspace.opu.ua/jspui/handle/123456789/9651
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorСухарев, Юрий Георгиевич-
dc.contributor.authorАкулюшин, Игорь Леонидович-
dc.contributor.authorМиронов, Валерий Семенович-
dc.contributor.authorАндриянов, Александр Викторович-
dc.contributor.authorЖеревчук, Владимир В.-
dc.date.accessioned2019-11-25T08:27:12Z-
dc.date.available2019-11-25T08:27:12Z-
dc.date.issued1994-04-
dc.identifier.citationЭлектрофизические свойства пленок систем ZrO2-Y2O3, HfO2-Nd2O3, HfO2-Y2O3 / Ю. Г. Сухарев, И. Л. Акулюшин, В. С. Миронов, А. В. Андриянов, В. В. Жеревчук // Неорган. материалы. - 1994, Том.30, № 4. - С.556-558.ru
dc.identifier.urihttp://dspace.opu.ua/jspui/handle/123456789/9651-
dc.description.abstractИзучены электрофизические свойства пленок систем ZrO2-Y2O3, HfO2-Nd2O3, HfO2-Y2O3 в зависимости от условий их получения. Введение в пленки ZrO2 и HfO2 оксидов редкоземельных элементов позволило стабилизировать электрофизические параметры в широких интервалах температур подложки и скоростей роста слоев.en
dc.language.isoruen
dc.subjectтонкие пленки, диэлектрики, ZrO2-Y2O3, HfO2-Nd2O3, HfO2-Y2O3en
dc.titleЭлектрофизические свойства пленок систем ZrO2-Y2O3, HfO2-Nd2O3, HfO2-Y2O3en
dc.typeArticleen
opu.kafedraКафедра інформаційної діяльністі та медіа-комунікацій = Кафедра документознавства та інформаційної діяльностіuk
opu.citation.journalНеорганические материалыen
opu.citation.volume30en
opu.citation.firstpage556en
opu.citation.lastpage558en
opu.citation.issue4en
opu.staff.idaav@opu.uaen
Располагается в коллекциях:Статті каф. ІДМК

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
Неорг_матер_1994.pdfЭлектрофизические свойства пленок систем ZrO2-Y2O3, HfO2-Nd2O3, HfO2-Y2O3803.17 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть


Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.