Температурные эффекты в квантово-размерных проводниках

Abstract

Квантово-размерные проводники ( далее - КРП), созданные на основе цинковых нанокомпозитов (в зависимости от величины поперечного сечения) выявляют качественно различные зависимости сопротивления от температуры [1]. Так, при нагревании проводников сечением менее 4 нм выявляется аномальный спад сопротивления. Попытка объяснения выявленного эффекта на основе модели, предложенной авторами работы [2] не позволяет выяснить причины качественного изменения установленной зависимости. Авторы [2] провели лишь обратный пересчет длины фазовой когерентности электронов проводимости (LΦ) на основе данных по измерению сопротивления. Существенное влияние на электрические характеристики КР проводников и приборов на их основе оказывает инжекция электронов из контактных областей в проводящий канал [3-5]. Учет этого факта позволяет объяснить наблюдаемые высокие значения плотности тока в канале полевого транзистора на основе углеродной нанотрубки [6]. Количественный анализ по методике работы [6] показывает, что концентрация собственных электронов в нанотрубке на порядок меньше, чем инжектированных. Поэтому, с нашей точки зрения, именно инжекция носителей практически полностью определяют электропроводность КР прибора [7]. В предлагаемой статье исследовано влияние поперечных размеров КР проводников на их удельное сопротивление.