Ионизационный отжиг полупроводниковых кристаллов. Часть первая :  теоретические предпосылки

Гаркавенко, А. С.; Мокрицкий, Вадим Анатольевич; Банзак, О. В.; Завадский, В. А.; Гаркавенко, О. С.; Мокріцький, Вадим Анатолійович; Банзак, О. В.; Завадський, В. О.; Garkavenko, A. S.; Mokritskii, Vadym; Banzak, O. V.; Zavadskii, V. A.

eONPUIR
→
1. Періодичні видання національного університету "Одеська політехніка"
→
Технологія та конструювання в електронній апаратурі
→
2014
→
Технологія та конструювання в електронній апаратурі, № 4, 2014
→
Посмотреть элемент

dc.contributor.author	Гаркавенко, А. С.
dc.contributor.author	Мокрицкий, Вадим Анатольевич
dc.contributor.author	Банзак, О. В.
dc.contributor.author	Завадский, В. А.
dc.contributor.author	Гаркавенко, О. С.
dc.contributor.author	Мокріцький, Вадим Анатолійович
dc.contributor.author	Банзак, О. В.
dc.contributor.author	Завадський, В. О.
dc.contributor.author	Garkavenko, A. S.
dc.contributor.author	Mokritskii, Vadym
dc.contributor.author	Banzak, O. V.
dc.contributor.author	Zavadskii, V. A.
dc.date.accessioned	2017-04-19T08:59:37Z
dc.date.available	2017-04-19T08:59:37Z
dc.date.issued	2013-12
dc.identifier.citation	Ионизационный отжиг полупроводниковых кристаллов. Часть первая : теоретические предпосылки / А. С. Гаркавенко, В. А. Мокрицкий, О. В. Банзак, В. А. Завадский // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре. - 2014. - № 4. - С. 50-55.	ru
dc.identifier.issn	2225-5818
dc.identifier.uri	http://tkea.com.ua/tkea/2014/4_2014/pdf/09.pdf
dc.identifier.uri	http://dspace.opu.ua/jspui/handle/123456789/1934
dc.description.abstract	При облучении полупроводниковых кристаллов мощными (сильноточными) импульсными электронными пучками высоких энергий получен новый вид отжига, названный авторами «ионизационным», дано его теоретическое обоснование.	en
dc.description.abstract	При опроміненні напівпровідникових кристалів потужними (сильнострумовими) імпульсними електронними пучками високих енергій отримано новий вид відпалу, названий авторами «іонізаційним», надано його теоретичне обгрунтування.	en
dc.description.abstract	During irradiation of semiconductor crystals with powerful (high current) pulsed high-energy electron beams, a new type of annealing has been obtained. We could obtain new results and to find out physical nature of this phenomenon due to short and powerful bunches of electrons with high energy. Given its theoretical justification, the new annealing type has been called the "ionization annealing".	en
dc.language.iso	ru	en
dc.publisher	Odessa National Polytechnic University	en
dc.subject	лазер	en
dc.subject	отжиг	en
dc.subject	электронный пучок	en
dc.subject	лазер	en
dc.subject	відпал	en
dc.subject	електронний пучок	en
dc.subject	laser	en
dc.subject	annealing	en
dc.subject	electron beam	en
dc.title	Ионизационный отжиг полупроводниковых кристаллов. Часть первая : теоретические предпосылки	en
dc.title.alternative	Іонізаційний відпал напівпровідникових кристалів. Частина перша : теоретичні передумови	en
dc.title.alternative	Ionization annealing of semiconductor crystals. Part one : teoretical background	en
dc.type	Article	en
opu.kafedra	Кафедра інформаційних технологій проектування в електроніці й телекомунікаціях	UK
opu.citation.journal	Технологія та конструювання в електронній аппаратурі	en
opu.citation.firstpage	50	en
opu.citation.lastpage	55	en
opu.citation.issue	4	en
opu.staff.id	mva@opu.ua