Аннотация:
Рассматривается параметрический излучатель в виде антенны, по поверхности которой задано линейное фазовое распределение амплитуды. Используя модель Хохлова–Заболотской, получено аналитически решение, описывающее как ближнее, так и дальнее поле излучателя. Показано, что в ближнем поле можно увеличить амплитуду вторичной волны разностной частоты (т. е. КПД параметрической антенны) при определенном фазировании сигнала на излучающей поверхности.
