Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс:
http://dspace.opu.ua/jspui/handle/123456789/1934Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Гаркавенко, А. С. | - |
| dc.contributor.author | Мокрицкий, Вадим Анатольевич | - |
| dc.contributor.author | Банзак, О. В. | - |
| dc.contributor.author | Завадский, В. А. | - |
| dc.contributor.author | Гаркавенко, О. С. | - |
| dc.contributor.author | Мокріцький, Вадим Анатолійович | - |
| dc.contributor.author | Банзак, О. В. | - |
| dc.contributor.author | Завадський, В. О. | - |
| dc.contributor.author | Garkavenko, A. S. | - |
| dc.contributor.author | Mokritskii, Vadym | - |
| dc.contributor.author | Banzak, O. V. | - |
| dc.contributor.author | Zavadskii, V. A. | - |
| dc.date.accessioned | 2017-04-19T08:59:37Z | - |
| dc.date.available | 2017-04-19T08:59:37Z | - |
| dc.date.issued | 2013-12 | - |
| dc.identifier.citation | Ионизационный отжиг полупроводниковых кристаллов. Часть первая : теоретические предпосылки / А. С. Гаркавенко, В. А. Мокрицкий, О. В. Банзак, В. А. Завадский // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре. - 2014. - № 4. - С. 50-55. | ru |
| dc.identifier.issn | 2225-5818 | - |
| dc.identifier.uri | http://tkea.com.ua/tkea/2014/4_2014/pdf/09.pdf | - |
| dc.identifier.uri | http://dspace.opu.ua/jspui/handle/123456789/1934 | - |
| dc.description.abstract | При облучении полупроводниковых кристаллов мощными (сильноточными) импульсными электронными пучками высоких энергий получен новый вид отжига, названный авторами «ионизационным», дано его теоретическое обоснование. | en |
| dc.description.abstract | При опроміненні напівпровідникових кристалів потужними (сильнострумовими) імпульсними електронними пучками високих енергій отримано новий вид відпалу, названий авторами «іонізаційним», надано його теоретичне обгрунтування. | en |
| dc.description.abstract | During irradiation of semiconductor crystals with powerful (high current) pulsed high-energy electron beams, a new type of annealing has been obtained. We could obtain new results and to find out physical nature of this phenomenon due to short and powerful bunches of electrons with high energy. Given its theoretical justification, the new annealing type has been called the "ionization annealing". | en |
| dc.language.iso | ru | en |
| dc.publisher | Odessa National Polytechnic University | en |
| dc.subject | лазер | en |
| dc.subject | отжиг | en |
| dc.subject | электронный пучок | en |
| dc.subject | лазер | en |
| dc.subject | відпал | en |
| dc.subject | електронний пучок | en |
| dc.subject | laser | en |
| dc.subject | annealing | en |
| dc.subject | electron beam | en |
| dc.title | Ионизационный отжиг полупроводниковых кристаллов. Часть первая : теоретические предпосылки | en |
| dc.title.alternative | Іонізаційний відпал напівпровідникових кристалів. Частина перша : теоретичні передумови | en |
| dc.title.alternative | Ionization annealing of semiconductor crystals. Part one : teoretical background | en |
| dc.type | Article | en |
| opu.kafedra | Кафедра інформаційних технологій проектування в електроніці й телекомунікаціях | UK |
| opu.citation.journal | Технологія та конструювання в електронній аппаратурі | en |
| opu.citation.firstpage | 50 | en |
| opu.citation.lastpage | 55 | en |
| opu.citation.issue | 4 | en |
| opu.staff.id | mva@opu.ua | - |
| Располагается в коллекциях: | Статті каф. ІТПЕТ Технологія та конструювання в електронній апаратурі, № 4, 2014 | |
Файлы этого ресурса:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 09.pdf | 361.62 kB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.