Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: http://dspace.opu.ua/jspui/handle/123456789/6783
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorМаслов, О. В.-
dc.contributor.authorБанзак, О. В.-
dc.contributor.authorКарпенко, А. В.-
dc.date.accessioned2018-01-13T18:41:50Z-
dc.date.available2018-01-13T18:41:50Z-
dc.date.issued2012-
dc.identifier.citationМаслов, О. В. Конструкторско-технологические методы усовершенствования датчиков гамма-излучения на основе монокристаллов CdZnTe / О. В. Маслов, О. В. Банзак, А. В. Карпенко // Вісник Інженерної академії України. - 2012. - Вип. 2. - С. 101-105. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Viau_2012_2_26en
dc.identifier.urihttp://nbuv.gov.ua/UJRN/Viau_2012_2_26-
dc.identifier.urihttp://dspace.opu.ua/jspui/handle/123456789/6783-
dc.description.abstractВ настоящей статье более подробно рассматривается влияние ТПО на качество и параметры гамма-датчиков, а также рассматриваются методы физической и электронной селекции для повышения их эффективности. Авторами в процессе многочисленных исследования обнаружена зависимость формы спектра от направления пролета γ -квантов.en
dc.language.isoruen
dc.subjectметоды физической и электронной селекцииen
dc.subjectспектрen
dc.subjectдатчики гамма-излученияen
dc.titleКонструкторско-технологические методы усовершенствования датчиков гамма-излучения на основе монокристаллов CdZnTeen
dc.typeArticleen
opu.kafedraКафедра фізики-
opu.citation.journalВісник Інженерної академії Україниen
opu.citation.firstpage101en
opu.citation.lastpage105en
opu.citation.issueВип. 2en
opu.staff.idmaslov@opu.uaen
Располагается в коллекциях:Статті каф. фізики

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
Viau_2012_2_26.pdfКОНСТРУКТОРСКО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ МЕТОДЫ УСОВЕРШЕНСТВОВАНИЯ ДАТЧИКОВ ГАММА-ИЗЛУЧЕНИЯ НА ОСНОВЕ МОНОКРИСТАЛЛОВ CdZnTe381.45 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть


Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.