Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: http://dspace.opu.ua/jspui/handle/123456789/9159
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorКазаков, Анатолий Иванович-
dc.contributor.authorАндриянов, Александр Викторович-
dc.contributor.authorМиронов, Валерий Семенович-
dc.contributor.authorПоляруш, Ольга Витальевна-
dc.date.accessioned2019-11-08T07:39:31Z-
dc.date.available2019-11-08T07:39:31Z-
dc.date.issued2003-01-
dc.identifier.citationРасчет частотной зависимости диэлектрических характеристик тонких пленок системы HfO2-Nd2O3 / А. И. Казаков, А. В. Андриянов, В. С. Миронов, О. В. Поляруш // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре. - 2003. - № 1. - С. 52-54.ru
dc.identifier.urihttp://dspace.opu.ua/jspui/handle/123456789/9159-
dc.description.abstractПредложенная методика расчета диэлектрических параметров пленок системы HfO2-Nd2O3 позволяет с достаточной достоверностью прогнозировать их характеристики в широком частотном диапазоне. Использование описанной методики позволяет существенно сократить масштабы технологического эксперимента при оптимизации параметров диэлектрических пленок многокомпонентных систем в соответствии с практическими требованиями.en
dc.language.isoruen
dc.subjectдиэлектрические пленкиen
dc.subjectчастотные зависимости диэлектрических параметровen
dc.titleРасчет частотной зависимости диэлектрических характеристик тонких пленок системы HfO2-Nd2O3en
dc.typeArticleen
opu.kafedraКафедра інформаційної діяльністі та медіа-комунікацій = Кафедра документознавства та інформаційної діяльностіuk
opu.citation.journalТехнология и конструирование в электронной аппаратуреen
opu.citation.firstpage52en
opu.citation.lastpage54en
opu.citation.issue1en
opu.staff.idaav@opu.uaen
Располагается в коллекциях:Статті каф. ІДМК

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
tkea_2003_1_52-54.pdfТехнология и конструирование в электронной аппаратуре, 2003, №1163.84 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть


Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.