Ковальчук, В.В.; Андриянов, Александр Викторович; Рац, В.А.; Панченко, А.А.; Андріянов, Олександр Вікторович; Andriianov, Oleksandr
(Одесса: Политехпериодика, 2012-06-04)
Понимание структуры, механизма формирования и свойств дефектов как в аморфном, так и в
кристаллическом SiO2 имеет важное значение в связи с широким применением этого материала в
микроэлектронике. Особенная роль отводится ...