Аннотация:
Исследованы свойства диэлектрических пленок системы HfO2-Nd2O3, полученных электронно-лучевым испарением в вакууме. Изучено влияние состава на электрофизические свойства пленок. Из вольт-фарадных характеристик параметры пленки и границы раздела полупроводник-диэлектрик. Изучение влияния температуры и электрического поля показало высокую термическую стабильность пленок системы HfO2-Nd2O3. Установлено влияние различных технологических воздействий на оптические характеристики пленок. Показана перспективность применения данных пленок в качестве диэлектрика тонкопленочных электролюминесцентных структур и термостабильных конденсаторов.
