Ионизационный отжиг полупроводниковых кристаллов. Часть вторая:  эксперимент

Гаркавенко, А. С.; Мокрицкий, Вадим Анатольевич; Банзак, О. В.; Завадский, В. А.; Мокріцький, Вадим Анатолійович; Банзак, О. В.; Завадський, В. О.; Гаркавенко, О. С.; Mokrickiy, Vadim

eONPUIR
→
1. Періодичні видання національного університету "Одеська політехніка"
→
Технологія та конструювання в електронній апаратурі
→
2014
→
Технологія та конструювання в електронній апаратурі, № 5-6, 2014
→
Посмотреть элемент

dc.contributor.author	Гаркавенко, А. С.
dc.contributor.author	Мокрицкий, Вадим Анатольевич
dc.contributor.author	Банзак, О. В.
dc.contributor.author	Завадский, В. А.
dc.contributor.author	Мокріцький, Вадим Анатолійович
dc.contributor.author	Банзак, О. В.
dc.contributor.author	Завадський, В. О.
dc.contributor.author	Гаркавенко, О. С.
dc.contributor.author	Mokrickiy, Vadim
dc.date.accessioned	2017-04-19T08:22:06Z
dc.date.available	2017-04-19T08:22:06Z
dc.date.issued	2013-12
dc.identifier.citation	Ионизационный отжиг полупроводниковых кристаллов. Часть вторая : эксперимент / А. С. Гаркавенко, В. А. Мокрицкий, О. В. Банзак, В. А. Завадский // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре. - 2014. - № 5-6. - С. 51-56.	ru
dc.identifier.issn	2225-5818
dc.identifier.uri	http://tkea.com.ua/tkea/2014/5-6_2014/pdf/08.pdf
dc.identifier.uri	http://dspace.opu.ua/jspui/handle/123456789/1931
dc.description.abstract	При облучении полупроводниковых кристаллов мощными (сильноточными) импульсными электронными пучками высоких энергий обнаружен новый вид отжига, названный авторами ионизационным. В данной статье описаны экспериментальные исследования, подтверждающие сделанное ранее теоретическое обоснование.	en
dc.description.abstract	При опроміненні напівпровідникових кристалів потужними (сильнострумовими) імпульсними електронними пучками високих енергій виявлено новий вид відпалу, названий авторами іонізаційним. У цій статті наведено результати експериментальних досліджень, які підтверджують зроблене раніше теоретичне обгрунтування.	en
dc.description.abstract	There is a conception that irradiation of semiconductor crystals with high energy electrons (300 keV) results in a significant and irreversible deterioration of their electrical, optical and structural properties.	en
dc.language.iso	ru	en
dc.publisher	Odessa National Polytechnic University	en
dc.subject	лазер	en
dc.subject	отжиг	en
dc.subject	электронный пучок	en
dc.subject	лазер	en
dc.subject	відпал	en
dc.subject	електронний пучок	en
dc.subject	laser	en
dc.subject	annealing	en
dc.subject	electron beam	en
dc.title	Ионизационный отжиг полупроводниковых кристаллов. Часть вторая: эксперимент	en
dc.title.alternative	Іонізаційний відпал напівпровідникових кристалів. Частина друга: експеримент	en
dc.title.alternative	Ionization annealing of semiconductor crystals. Part two: the experiment	en
dc.type	Article	en
opu.kafedra	Кафедра інформаційних технологій проектування в електроніці й телекомунікаціях	UK
opu.citation.journal	Технологія та конструювання в електронній аппаратурі	en
opu.citation.firstpage	51	en
opu.citation.lastpage	56	en
opu.citation.issue	5-6	en
opu.staff.id	mokrickiy@mail.ru
opu.staff.id	mva@opu.ua