eONPUIR

Просмотр Інститут інформаційної безпеки, радіоелектроніки та телекомунікацій по автору "2616d759-5e90-402e-80aa-496c2958c247"

Просмотр Інститут інформаційної безпеки, радіоелектроніки та телекомунікацій по автору "2616d759-5e90-402e-80aa-496c2958c247"

Отсортировать по: Порядку: Результаты:

  • Ионизационный отжиг полупроводниковых кристаллов. Часть вторая: эксперимент 
    Гаркавенко, А. С.; Мокрицкий, В. А.; Банзак, О. В.; Завадский, В. А.; Мокрицький, В. А.; Банзак, О. В.; Завадський, В. О.; Гаркавенко, О. С. (Odessa National Polytechnic University, 2013-12)
    При облучении полупроводниковых кристаллов мощными (сильноточными) импульсными электронными пучками высоких энергий обнаружен новый вид отжига, названный авторами ионизационным. В данной статье описаны экспериментальные ...
  • Ионизационный отжиг полупроводниковых кристаллов. Часть первая : теоретические предпосылки 
    Гаркавенко, А. С.; Мокрицкий, В. А.; Банзак, О. В.; Завадский, В. А.; Гаркавенко, О. С.; Мокрицький, В. А.; Банзак, О. В.; Завадський, В. О.; Garkavenko, A. S.; Mokritskii, V. A.; Banzak, O. V.; Zavadskii, V. A. (Odessa National Polytechnic University, 2013-12)
    При облучении полупроводниковых кристаллов мощными (сильноточными) импульсными электронными пучками высоких энергий получен новый вид отжига, названный авторами «ионизационным», дано его теоретическое обоснование.