Аннотация:
В данной работе для создания датчика гамма-излучения использовались монокристаллы Cd ZnTe
размерами (5...9)х(5...9)х2 мм с удельным сопротивлением (0,6... 1,5)-109 Ом-см. Омические
контакты покрывали наибольшие грани и создавались химическим нанесением золота. Датчики
исследовались при напряжении питания ±200 В, температуре +21°С и выдержке в темноте в
течение 24 и 48 часов. По этим данным рассчитаны значения сопротивления образцов и удельного сопротивления материалов.
