Исследование увеличения эффективности датчиков гамма-излучения с использованием монокристаллов Cd ZnTe

Маслов, О. В.; Банзак, О. В.; Карпенко, А. В.

dc.contributor.author	Маслов, О. В.
dc.contributor.author	Банзак, О. В.
dc.contributor.author	Карпенко, А. В.
dc.date.accessioned	2018-01-13T18:50:30Z
dc.date.available	2018-01-13T18:50:30Z
dc.date.issued	2012
dc.identifier.citation	Маслов, О. В. Исследование увеличения эффективности датчиков гамма-излучения с использованием монокристаллов Cd ZnTe / О. В. Маслов, О. В. Банзак, А. В. Карпенко // Вісник Інженерної академії України. - 2012. - Вип. 1. - С. 143-145. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Viau_2012_1_31	en
dc.identifier.uri	http://nbuv.gov.ua/UJRN/Viau_2012_1_31
dc.identifier.uri	http://dspace.opu.ua/jspui/handle/123456789/6784
dc.description.abstract	В данной работе для создания датчика гамма-излучения использовались монокристаллы Cd ZnTe размерами (5...9)х(5...9)х2 мм с удельным сопротивлением (0,6... 1,5)-109 Ом-см. Омические контакты покрывали наибольшие грани и создавались химическим нанесением золота. Датчики исследовались при напряжении питания ±200 В, температуре +21°С и выдержке в темноте в течение 24 и 48 часов. По этим данным рассчитаны значения сопротивления образцов и удельного сопротивления материалов.	en
dc.language.iso	ru	en
dc.subject	датчика гамма-излучения	en
dc.subject	зарядный пакет	en
dc.subject	монокристаллы	en
dc.title	Исследование увеличения эффективности датчиков гамма-излучения с использованием монокристаллов Cd ZnTe	en
dc.type	Article	en
opu.kafedra	Кафедра фізики
opu.citation.journal	Вісник Інженерної академії України	en
opu.citation.firstpage	143	en
opu.citation.lastpage	145	en
opu.citation.issue	Вип. 1	en
opu.staff.id	maslov@opu.ua	en