Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: http://dspace.opu.ua/jspui/handle/123456789/1934
Название: Ионизационный отжиг полупроводниковых кристаллов. Часть первая : теоретические предпосылки
Другие названия: Іонізаційний відпал напівпровідникових кристалів. Частина перша : теоретичні передумови
Ionization annealing of semiconductor crystals. Part one : teoretical background
Авторы: Гаркавенко, А. С.
Мокрицкий, В. А.
Банзак, О. В.
Завадский, В. А.
Гаркавенко, О. С.
Мокрицький, В. А.
Банзак, О. В.
Завадський, В. О.
Garkavenko, A. S.
Mokritskii, V. A.
Banzak, O. V.
Zavadskii, V. A.
Ключевые слова: лазер
отжиг
электронный пучок
лазер
відпал
електронний пучок
laser
annealing
electron beam
Дата публикации: Дек-2013
Издательство: Odessa National Polytechnic University
Библиографическое описание: Ионизационный отжиг полупроводниковых кристаллов. Часть первая : теоретические предпосылки / А. С. Гаркавенко, В. А. Мокрицкий, О. В. Банзак, В. А. Завадский // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре. - 2014. - № 4. - С. 50-55.
Краткий осмотр (реферат): При облучении полупроводниковых кристаллов мощными (сильноточными) импульсными электронными пучками высоких энергий получен новый вид отжига, названный авторами «ионизационным», дано его теоретическое обоснование.
При опроміненні напівпровідникових кристалів потужними (сильнострумовими) імпульсними електронними пучками високих енергій отримано новий вид відпалу, названий авторами «іонізаційним», надано його теоретичне обгрунтування.
During irradiation of semiconductor crystals with powerful (high current) pulsed high-energy electron beams, a new type of annealing has been obtained. We could obtain new results and to find out physical nature of this phenomenon due to short and powerful bunches of electrons with high energy. Given its theoretical justification, the new annealing type has been called the "ionization annealing".
URI (Унифицированный идентификатор ресурса): http://tkea.com.ua/tkea/2014/4_2014/pdf/09.pdf
http://dspace.opu.ua/jspui/handle/123456789/1934
ISSN: 2225-5818
Располагается в коллекциях:Статті каф. ІТПЕТ
Технологія та конструювання в електронній апаратурі, № 4, 2014

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
09.pdf361.62 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть


Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.