Проведен анализ электронных и оптических процессов в тонкопленочных электролюминесцентных структурах. Учтено влияние таких внешних факторов, как температура подложки, напряженность электрического поля, толщина слоя люминофора, концентрация легирующей примеси.
The analysis of electronic and optical processes in thin-film electroluminescent structures (TFELS) was
carried out. Influence of such factors as substrate temperature, electric field strength, luminophor layer thickness, impurity concentration was considered.
