Аннотация:
Теоретически исследованы зависимости напряженности электрического поля, тока и яркости в полупроводниковой пленке тонкопленочных электролюминесцентных структур (ТПЭЛС) от времени при возбуждении их синусоидальным напряжением. В качестве параметров использованы толщины и диэлектрические проницаемости полупроводниковой и диэлектрической пленок, плотность и энергия поверхностных электронных состояний (ПЭС) границы раздела диэлектрик-полупроводник. Проведен сравнительный анализ теоретических зависимостей с результатами экспериментальных исследований для структур на основе сульфида цинка. Компьютерное моделирование показало, что величина фазового сдвига между максимумом тока в полупроводниковой пленке и максимумом напряжения возбуждения зависит от амплитуды напряжения возбуждения и от локализации ПЭС на границе раздела диэлектрик-полупроводник. При теоретическом анализе волн яркости в ТПЭЛС необходимо учитывать влияние напряженности электрического поля, при котором происходит ускорение носителей заряда, на квантовую эффективность электролюминесценции.
