Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: http://dspace.opu.ua/jspui/handle/123456789/6687
Название: Влияние кристаллографической ориентации кремния на формирование кремниевых нанокластеров в процессе анодного электрохимического травления
Другие названия: Influence of silicon crystallographic orientation on formation silicon nanoclusters during anodic electrochemical etching
Авторы: Тимохов, Д.Ф.
Тимохов, Ф. П.
Ключевые слова: Фотолюминесценция, пористый кремний, нанокластеры кремния, электрохимическое травление
Дата публикации: 2009
Библиографическое описание: Тимохов, Д. Ф. Влияние кристаллографической ориентации кремния на формирование кремниевых нанокластеров в процессе анодного электрохимического травления / Д. Ф. Тимохов, Ф. П. Тимохов // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 1. - С. 95-99.
Краткий осмотр (реферат): Исследованы возможные пути повышения квантового выхода фотолюминесценции слоев пористого кремния. Изучено влияние параметров анодного электрохимического травления на фотолюминесцентные свойства слоев пористого кремния, полученных на подложках кремния с различной кристаллографической ориентацией. По спектрам фотолюминесценции пористого кремния рассчитаны средние диаметры нанокластеров кремния. Обнаружен эффект влияния кристаллографической ориентации исходной кремниевой подложки на квантовый выход фотолюминесценции пористого кремния. Предложен механизм влияния кристаллографической ориентации подложки на фотолюминесцентные свойства слоев пористого кремния, образующегося в процессе анодного электрохимического травления.
URI (Унифицированный идентификатор ресурса): http://dspace.opu.ua/jspui/handle/123456789/6687
Располагается в коллекциях:Статті каф. ЗМФ

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
6739.pdfТимохов Д.Ф. Влияние кристаллографической ориентации кремния на формирование кремниевых нанокластеров в процессе анодного электрохимического травления / Тимохов Д.Ф., Тимохов Ф.П. // Физика и техника полупроводников. – 2009. – Т. 43, вып. 1. – С.95-99.207.35 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть


Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.