Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс:
http://dspace.opu.ua/jspui/handle/123456789/6687| Название: | Влияние кристаллографической ориентации кремния на формирование кремниевых нанокластеров в процессе анодного электрохимического травления |
| Другие названия: | Influence of silicon crystallographic orientation on formation silicon nanoclusters during anodic electrochemical etching |
| Авторы: | Тимохов, Д.Ф. Тимохов, Ф. П. |
| Ключевые слова: | Фотолюминесценция, пористый кремний, нанокластеры кремния, электрохимическое травление |
| Дата публикации: | 2009 |
| Библиографическое описание: | Тимохов, Д. Ф. Влияние кристаллографической ориентации кремния на формирование кремниевых нанокластеров в процессе анодного электрохимического травления / Д. Ф. Тимохов, Ф. П. Тимохов // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 1. - С. 95-99. |
| Краткий осмотр (реферат): | Исследованы возможные пути повышения квантового выхода фотолюминесценции слоев пористого кремния. Изучено влияние параметров анодного электрохимического травления на фотолюминесцентные свойства слоев пористого кремния, полученных на подложках кремния с различной кристаллографической ориентацией. По спектрам фотолюминесценции пористого кремния рассчитаны средние диаметры нанокластеров кремния. Обнаружен эффект влияния кристаллографической ориентации исходной кремниевой подложки на квантовый выход фотолюминесценции пористого кремния. Предложен механизм влияния кристаллографической ориентации подложки на фотолюминесцентные свойства слоев пористого кремния, образующегося в процессе анодного электрохимического травления. |
| URI (Унифицированный идентификатор ресурса): | http://dspace.opu.ua/jspui/handle/123456789/6687 |
| Располагается в коллекциях: | Статті каф. БІ |
Файлы этого ресурса:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 6739.pdf | Тимохов Д.Ф. Влияние кристаллографической ориентации кремния на формирование кремниевых нанокластеров в процессе анодного электрохимического травления / Тимохов Д.Ф., Тимохов Ф.П. // Физика и техника полупроводников. – 2009. – Т. 43, вып. 1. – С.95-99. | 207.35 kB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.