Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс:
http://dspace.opu.ua/jspui/handle/123456789/9703| Название: | Исследование пространственной структуры нейтральной кислородной вакансии в кристаллическом SiO2 |
| Авторы: | Ковальчук, В.В. Андриянов, Александр Викторович Рац, В.А. Панченко, А.А. Андріянов, Олександр Вікторович Andriianov, Oleksandr |
| Ключевые слова: | точечные дефекты вакансия SiO2 |
| Дата публикации: | 4-Июн-2012 |
| Издательство: | Одесса: Политехпериодика |
| Библиографическое описание: | Исследование пространственной структуры нейтральной кислородной вакансии в кристаллическом SiO2 / В. В. Ковальчук, А. В. Андриянов, В. А. Рац, А. А. Панченко // Соврем. информ. и электрон. технологии : Междунар. науч.-практ. конф., г. Одесса, 4-8 июня 2012 г. - Одесса, 2012. - С. 269. |
| Краткий осмотр (реферат): | Понимание структуры, механизма формирования и свойств дефектов как в аморфном, так и в кристаллическом SiO2 имеет важное значение в связи с широким применением этого материала в микроэлектронике. Особенная роль отводится точечным дефектам, которые позволяют управлять свойствами материалов и работой устройств, компонентной составляющей которых является SiO2. |
| URI (Унифицированный идентификатор ресурса): | http://dspace.opu.ua/jspui/handle/123456789/9703 |
| Располагается в коллекциях: | Матеріали конференцій, семінарів каф. ІДМК |
Файлы этого ресурса:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| siet2012_269.pdf | Труды СИЭТ 2012 | 614.72 kB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.