eONPUIR

Просмотр ІНФОРМАТИКА ТА МАТЕМАТИЧНІ МЕТОДИ В МОДЕЛЮВАННІ. Том 10, номер 1-2, 2020 по дате публикации

Просмотр ІНФОРМАТИКА ТА МАТЕМАТИЧНІ МЕТОДИ В МОДЕЛЮВАННІ. Том 10, номер 1-2, 2020 по дате публикации

Отсортировать по: Порядку: Результаты:

  • Дослідження властивостей нормованої відокремленості максимального сингулярного числа блоку матриці цифрового зображення 
    Кобозєва, Алла Анатоліївна; Кобозева, Алла Анатольевна; Kobozeva, Alla; Бобок Іван Ігорович; Бобок, Иван Игоревич; Bobok, Ivan (Odessa National Polytechnic University, 2020)
    На сьогоднішній день одним з найпоширеніших і затребуваних стеганографічних методів є метод модифікації найменшого значущого біта - LSB-метод. Це залишає актуальними задачі виявлення наявності й декодування прихованої ...
  • Features of creating information technologies focused on the research of diffusion processes 
    Pyvovar, O.; Пивовар, О. В.; Polozhaenko, Serhii; Положаєнко, Сергій Анатолійович; Положаенко, Сергей Анатольевич (Odessa National Polytechnic University, 2020)
    The need to use information technology is due to many reasons. The current state of computer technology (CT), modern numerical methods make it possible to model objects whose behavior is described by very complex ...
  • Модифікація методу хеш-стеганографії, заснованого на передачі послідовності цифрових зображень 
    Зоріло, Вікторія Вікторівна; Зорило, Виктория Викторовна; Zorilo, Viktoria; Лебедєва, Олена Юріївна; Лебедева, Елена Юрьевна; Lebedieva, Olena; Бохонько, Михайло Володимирович; Бохонько, Михаил Владимирович; Bokhonko, Mikhail (Odessa National Polytechnic University, 2020)
    Захист електронної інформації криптографічними та стеганографічними методами, а також їх комбінацією сьогодні є дуже затребуваним. Проте новий вид стеганографії – хеш-стеганографія, принципово відрізняється від класичної ...
  • Mathematical modeling of criticall phenomena in solid solution of semiconductors based on А2В6 compounds 
    Shapovalov, Gennady; Шаповалов, Геннадій Віталійович; Шаповалов, Геннадий Витальевич; Кazakov, Anatoly; Казаков, Анатолій Іванович; Казаков, Анатолий Иванович; Moskvin, P.; Москвін, П. П.; Москвин, П. П.; Khomutenko, D.; Хомутенко, Д. О.; Хомутенко, Д. А.; Petriv, V.; Петрів, В. M.; Петрив, В. M. (Odessa National Polytechnic University, 2020)
    Mathematical modeling of critical phenomena in multicomponent solid solutions of semiconductors was carried out on the basis of the theory of phase transitions and the theory of catastrophes. A mathematical method is ...