Показать сокращенную информацию
dc.contributor.author | Ковальчук, В.В. | |
dc.contributor.author | Андриянов, Александр Викторович | |
dc.contributor.author | Рац, В.А. | |
dc.contributor.author | Панченко, А.А. | |
dc.contributor.author | Андріянов, Олександр Вікторович | |
dc.contributor.author | Andriianov, Oleksandr | |
dc.date.accessioned | 2019-11-28T07:21:18Z | |
dc.date.available | 2019-11-28T07:21:18Z | |
dc.date.issued | 2012-06-04 | |
dc.identifier.citation | Исследование пространственной структуры нейтральной кислородной вакансии в кристаллическом SiO2 / В. В. Ковальчук, А. В. Андриянов, В. А. Рац, А. А. Панченко // Соврем. информ. и электрон. технологии : Междунар. науч.-практ. конф., г. Одесса, 4-8 июня 2012 г. - Одесса, 2012. - С. 269. | ru |
dc.identifier.uri | http://dspace.opu.ua/jspui/handle/123456789/9703 | |
dc.description.abstract | Понимание структуры, механизма формирования и свойств дефектов как в аморфном, так и в кристаллическом SiO2 имеет важное значение в связи с широким применением этого материала в микроэлектронике. Особенная роль отводится точечным дефектам, которые позволяют управлять свойствами материалов и работой устройств, компонентной составляющей которых является SiO2. | en |
dc.language.iso | ru | en |
dc.publisher | Одесса: Политехпериодика | en |
dc.subject | точечные дефекты | en |
dc.subject | вакансия | en |
dc.subject | SiO2 | en |
dc.title | Исследование пространственной структуры нейтральной кислородной вакансии в кристаллическом SiO2 | en |
dc.type | Conference proceedings | en |
opu.kafedra | Кафедра інформаційної діяльністі та медіа-комунікацій = Кафедра документознавства та інформаційної діяльності | uk |
opu.citation.firstpage | 269 | en |
opu.citation.lastpage | 269 | en |
opu.citation.conference | XIII Международная научно-практическая конференция «Современные информационные и электронные технологии», Одесса | en |
opu.staff.id | aav@opu.ua | en |
opu.conference.dates | 4-8 июля 2012 | en |